Szép karácsonyi ajándékot tett magának és a szakmának a karácsonyfája
alá a Toshiba. Mint arról a NEWSdeskről érkezett összesen 3 szál,
december 24-én kelt hír egyikében olvasható, az 512 megabites
tármorzsájuk csatornasebessége 3,2 Gbps.
Az ünnepi sajtóbejelentés tárgya az, hogy a gyártók már mintákat kérhetnek az XDR típusú, ultra nagysebességű DRAM morzsából a tármoduljaik gyártásához. Az XDR típusú DRAM modulok az eredetileg 400 Mbps sebességű RAMBUS tármorzsák továbbfejlesztései úgy, hogy 8-szoros adatátviteli sebességet (octal data rate) valósítanak meg, tehát ebből ered a 3,2 Gbps sebesség.
A Toshiba 2002 októberében vette meg a RAMBUS licencét, és azóta eltökélten fejleszti tovább ezt a technológiát. A mostani eredményt ennek a fényében kell nézni. A szakmában elsőként, a maguknak diktált határidő előtt tettek a fejlesztők az asztalára XDR DRAM-okat, amelyeket a terveik szerint 2005-ben fognak sorozatban gyártani.
Az eredeti specifikáció:- Model Numbers: TC59YM916AMG32A; TC59YM916AMG32B; TC59YM916AMG32C
- Configuration: 4 megabits word x 8 banks x 16 bits
- Max. Data Rate: 3.2 Gbps
- Cycle Time: 40 nanoseconds; 50 nanoseconds; 60 nanoseconds
- Power Supply: 1.8V VDD
- Interface: DRSL (Differential Rambus Signaling Level)
- Latency: 27 nanoseconds; 35 nanoseconds; 35 nanoseconds
- Package Size: 1.27 x 0.8mm pitch BGA