4 GB-os DDR2 memóriamodul
Széll Zoltán, 2004. június 25. 13:48
A világ egyik legnagyobb DRAM lapka- és memóriamodul-gyártója, a Hynix
bejelentette, hogy a szerverpiacra megkezdte a 4GB-os DDR-2 R-DIMM
memóriamodulok szállítását.
Az új, nagy kapacitású memóriamodulok a Hynix 1 Gbites DDR-2 memórialapkákon alapulnak, amelyek 110 nm-es technológiával készülnek. Az új lapkák már nagy tömegben készülnek és támogatják az Intel most bejelentett 915 lapkakészletét. A Hynix a 4GB-os modullal egy időben a noteszgép-piacra bevezette a 2 GB-os DDR-2 So-DIMM memóriamodult.
Kapcsolódó cikkek
- 4 GB-os Samsung mobiltelefonos memóriacsip
- USB flash-eszközök akár teljes felhasználói profilok hordozásához
- 50nm-es Intel-Micron MLC NAND flash memória
- Flashmemória automatából
- 8 GB Samsung flasmemória mobiltelefonokhoz
- Koreai tudósok 8 nm-es NAND csipet fejlesztettek ki
- Flashmemóriás laptopot tervez az Apple?
- Samsung: 60nm-es, 1Gbites DDR2 DRAM lapka
- 2000 MHz-es Samsung grafikus memória
- 2 gramm súlyú flashkártyák
Cikkgyűjtő
További fontos híreink
Magyar siker: Nemzetközi díjat nyert a TIME magazintól a nyelvtanuló-applikáció
2024. május 3. 19:59