Prim Hírek

Az ünnepi sajtóbejelentés tárgya az, hogy a gyártók már mintákat kérhetnek az XDR típusú, ultra nagysebességű DRAM morzsából a tármoduljaik gyártásához. Az XDR típusú DRAM modulok az eredetileg 400 Mbps sebességű RAMBUS tármorzsák továbbfejlesztései úgy, hogy 8-szoros adatátviteli sebességet (octal data rate) valósítanak meg, tehát ebből ered a 3,2 Gbps sebesség.

A Toshiba 2002 októberében vette meg a RAMBUS licencét, és azóta eltökélten fejleszti tovább ezt a technológiát. A mostani eredményt ennek a fényében kell nézni. A szakmában elsőként, a maguknak diktált határidő előtt tettek a fejlesztők az asztalára XDR DRAM-okat, amelyeket a terveik szerint 2005-ben fognak sorozatban gyártani.

Az eredeti specifikáció:

• Model Numbers: TC59YM916AMG32A; TC59YM916AMG32B; TC59YM916AMG32C
• Configuration: 4 megabits word x 8 banks x 16 bits
• Max. Data Rate: 3.2 Gbps
• Cycle Time: 40 nanoseconds; 50 nanoseconds; 60 nanoseconds
• Power Supply: 1.8V VDD
• Interface: DRSL (Differential Rambus Signaling Level)
• Latency: 27 nanoseconds; 35 nanoseconds; 35 nanoseconds
• Package Size: 1.27 x 0.8mm pitch BGA